本發明涉及一種基于超臨界流體輔助的多孔石墨烯硅負極材料的制備方法,針對目前硅負極材料體積膨脹嚴重導致結構坍塌造成能量快速衰減的問題,本發明利用超臨界流體的低黏度、高擴散性、零表面張力和易于調控的特點,將金屬氧化物前驅體均勻負載于化學惰性的石墨烯表面,將金屬氧化物?石墨烯復合材料包覆硅材料表面,再用酸溶液刻蝕掉金屬氧化物,利用碳熱反應原理得到多孔石墨烯硅負極材料。其中,高品質石墨烯的優良導電性和多孔結構有利于電子和鋰離子的快速傳輸,調控加熱處理時間和溫度可得到多種孔洞石墨烯結構,可根據實際負極材料所需條件靈活調整,而刻蝕掉的金屬氧化物留出緩沖空間,緩解硅材料體積膨脹造成的一系列負面影響。
聲明:
“基于超臨界流體輔助的多孔石墨烯硅負極材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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