本發明公開了一種制備鈷和三氧化二鎵共摻硫化鋅硒化鋅陶瓷與薄膜的方法,所制備的材料以純鈷、三氧化二鎵以及硫化鋅硒化鋅粉末原料通過循環致密固相燒結法,得到Ga2O3:Co:ZnS/Se陶瓷材料。以此為基礎,采用脈沖激光沉積的方法制備了同樣成分的納米薄膜材料。本發明實現了過渡金屬元素與透明半導體氧化元素共同摻雜硫系復合材料的制備,所制得材料集中了多種摻雜元素的特性,包括鐵磁性質、半導體性質及其紅外光學特性。極大地拓寬了材料的應用范圍,為下一步研究創造了良好的前提條件。
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