本發明公開一種LED,在襯底上生長外延層,在外延層上制作可變電阻率的透明導電層,在透明導電層上制作P電極,而在外延層上制作N電極;透明導電層由導電高分子復合材料構成,導電高分子復合材料由高分子基體材料和導電填料按體積比為1 : 0.01?1 : 1組成,高分子基體材料為環氧樹脂、硅氧樹脂、聚乙烯、偏二氟乙烯中的一種,導電填料為炭黑、石墨烯、碳納米管、金屬顆粒、金屬纖維、金屬氧化物顆粒中的一種或幾種。本發明還公開所述LED制造方法。本發明可以解決LED芯片在恒壓驅動模式下所對應的驅動電流隨溫度的上升而急劇升高的問題。
聲明:
“LED及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)