本發明涉及新材料領域旨在提供一種高導電A位高熵納米金屬氧化物及其制備方法。該金屬氧化物的分子式為Gd0.4Er0.3La0.4Nd0.5Y0.4)(Zr0.7,Sn0.8,V0.5)O7;其外觀呈粉體狀,微觀結構顯示為邊長4~12nm、厚度1~3nm的正方形納米片。相對于現有的高熵氧化物,本發明的產品具有高導電的特點,能夠在導電合金、電接觸復合材料、導電復合材料、多功能生物基復合材料、導電/抗靜電功能復合涂層等方面得到更好的應用。
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“高導電A位高熵納米金屬氧化物及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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