本發明公開了高可靠功率混合集成電路的集成方法,該方法包括:(1)首先將原始厚膜基片通過超聲清洗干凈、并烘干;(2)在高真空磁控濺射臺內在陶瓷基片的背面用高真空濺射方法一次性形成Cu-Ni-Cr-Au多層復合薄膜;(3)在以上基礎上,有選擇性地再濺射一層Cu-Ni-Cr-Au復合薄膜,使其在選定的區域形成多層金屬薄膜溝狀網;(4)之后在高溫下進行退火,得到厚膜基片;(5)將厚膜基片組裝到管殼底座上,再組裝半導體芯片和其他分立元器件,用硅-鋁絲鍵合完成電路連接,封帽,即制成高可靠功率混合集成電路。采用本方法的集成電路具有很好的焊接系統致密性、附著力、熱傳導性,散熱快速,保證電路的可靠性。廣泛應用于航天、航空、船舶、精密儀器、地質勘探、石油勘探、通訊等領域。
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“高可靠功率混合集成電路的集成方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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