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制備Diamond/SiC復合材料的方法

1022   編輯：管理員   來(lái)源：中冶有色網(wǎng)  
2023-03-18 16:01:02
本發(fā)明公開(kāi)了一種制備Diamond/SiC復合材料的方法，包括如下步驟：1)制備金剛石預制體：將金剛石、石墨、硅粉、粘結劑按質(zhì)量比混合均勻并壓制生坯，將生坯在1000?1200℃保護氣氛下碳化得金剛石預制體；2)制備Diamond/SiC復合材料：將金剛石預制體置于氮化硅粉末上，于1500?1700℃真空爐中充分反應1?2h即得Diamond/SiC復合材料。本發(fā)明有效的避免了過(guò)量硅粉對樣品的粘連，便于后續樣品處理。
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聲明：
“制備Diamond/SiC復合材料的方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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