本發明公開了一種制備Diamond/SiC復合材料的方法,包括如下步驟:1)制備金剛石預制體:將金剛石、石墨、硅粉、粘結劑按質量比混合均勻并壓制生坯,將生坯在1000?1200℃保護氣氛下碳化得金剛石預制體;2)制備Diamond/SiC復合材料:將金剛石預制體置于氮化硅粉末上,于1500?1700℃真空爐中充分反應1?2h即得Diamond/SiC復合材料。本發明有效的避免了過量硅粉對樣品的粘連,便于后續樣品處理。
聲明:
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