本發明涉及半導體材料領域,旨在提供TiO2/InVO4納米結復合材料的制備方法。該制備方法包括以下步驟:將InVO4顆粒加入到聚合物型TiO2溶膠中,反應后將沉淀過濾、洗滌獲得粉體,將粉體在馬弗爐中保溫2h,獲得TiO2量子點改性InVO4顆粒;將改性InVO4顆粒分散到乙醇水溶液中得到體系,在水浴攪拌條件下,向該體系中滴加鈦酸丁酯與無水乙醇的混合液,再將沉淀過濾、洗滌烘干后,獲得TiO2/InVO4納米結復合材料。本發明避免了過量包覆形成核殼結構或納米晶在溶液中的均相析出,利用水合鈦離子作為生長基元解決了納米晶的常壓液相生長問題;制備的納米結復合材料的表面同時表現出光催化氧化性和還原性。
聲明:
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