本發明公開了材料和光電子技術領域的一種利用高介電常數復合材料實現光隔離的方法和器件。所述利用高介電常數復合材料實現光隔離的器件為一維單缺陷磁光光子晶體結構,其結構式為:G1G2G1G2G1G2MG1G2G1G2G1G2G1G2G1G2G1G2G1,其中:G1為低介電常數材料,G2為高介電常數復合材料,M是摻鉍釔鐵石榴石。本發明解決了現有反射型磁光多層膜隔離器設計受限于已有材料電磁參量的問題。與現有的、在中心波長1.053微米處實現光隔離的一維單缺陷磁光子晶體結構相比,本發明所得結構總膜層數較少,降低了實際制備難度,結構的總厚度約為5.1微米,方便光路集成。同時,上述利用高介電常數復合材料實現光隔離的器件易于設計優化反射型磁光多層膜隔離器性能。
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