本發明公開了一種碳包覆硅納米片制備方法及碳包覆硅納米片,通過將0.1?1g碳源加入5?20mL水中攪拌并超聲分散10?30min;加入0.1?1g?D50粒徑10?500nm的硅粉超聲分散10?30min;100?200℃水熱反應10?24h后離心、真空干燥得碳包覆硅納米片。該碳包覆硅納米片由硅納米片及包覆在周圍的碳層組成。本發明公開了用上述碳包覆硅納米片制備的硅基復合材料及制備方法,通過將碳包覆硅納米片、碳材料、碳源按質量比5?12%:78?85%:10%混合球磨,以3?10℃/min升溫至500?1000℃煅燒5?12h得硅基復合材料。該硅基復合材料包括碳包覆硅納米片、碳材料和包覆碳層。本發明的碳包覆硅納米片和硅基復合材料的碳包覆層緩沖了硅的體積膨脹,增強了導電性,硅基復合材料的雙包覆碳層進一步抑制硅的膨脹,提高了首次充放電效率和循環容量保持率。
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