權利要求
1.高循環硅基負極材料，其特征在于，所述高循環硅基負極材料包括：多孔氮化物、硅和非金屬摻雜元素; 所述高循環硅基負極材料通過熱等離子體法制備得到，具體為：由第一硅源材料和含非金屬摻雜元素的材料，在高頻等離子體處理設備中電離形成溫度在5000K以上的等離子氣體，再冷卻、沉積成核，得到的以多孔氮化物作為骨架，硅和非金屬摻雜元素均勻內嵌分布的高循環硅基負極材料； 或，所述高循環硅基負極材料通過硅烷化學氣相沉積法制備得到，具體為:由含非金屬摻雜元素的材料高溫氣化后，通入第二硅源材料的氣體，再冷卻、沉積成核，得到的以多孔氮化物作為骨架，硅和非金屬摻雜元素均勻內嵌分布的高循環硅基負極材料； 所述含非金屬摻雜元素的材料包括：一種或多種B、N、P、S、C、As、Se任意一種非金屬摻雜元素的物質；所述非金屬摻雜元素占所述硅質量的百分比為0%-20%。2.根據權利要求1所述的高循環硅基負極材料，其特征在于，所述多孔氮化物包括：多孔氮化硅、多孔氮化鈦、多孔氮化硼、多孔氮化鎵中的一種或多種; 所述多孔氮化物的粒徑D 50在500nm-100μm之間；所述多孔氮化物的孔隙的孔徑在300nm-30μm之間；所述多孔氮化物的孔隙率在30%-95%之間； 所述第一硅源材料包括：硅粉、甲硅烷、乙硅烷、四氟硅烷、氯硅烷、六甲基二硅烷、三(三甲基硅基)硅烷中的一種或多種； 所述第二硅源材料包括：甲硅烷、乙硅烷、四氟硅烷、氯硅烷、六甲基二硅烷、三(三甲基硅基)硅烷中的一種或多種； 所述非金屬摻雜元素占所述硅質量的百分比為0.5%-10%。 3.根據權利要求1所述的高循環硅基負極材料，其特征在于，所述高循環硅基負極材料還包括碳包覆層；所述碳包覆層的質量占所述高循環硅基負極材料總質量的百分比為0-20%。 4.上述權利要求1-3任一所述的高循環硅基負極材料的制備方法，其特征在于，所述制備方法為高頻熱等離子體法，包括： 將多孔氮化物置于高頻等離子體處理設備的冷凝區，將第一硅源材料和含非金屬摻雜元素的材料置于所述高頻等離子體處理設備的高溫區； 向所述高頻等離子體處理設備通入保護氣置換空氣，開啟所述高頻等離子體處理設備的等離子體發生器，電離工作氣，使所述第一硅源材料和所述含非金屬摻雜元素的材
聲明：
“高循環硅基負極材料及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：溧陽天目先導電池材料科技有限公司
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2025年07月09日 ~ 11日 
