本發明公開了基于甲胺鉛溴單晶的同質結光電二極管和三極管及其制備方法,是通過摻雜BiBr3使MAPbBr3單晶成為n型半導體,而未摻雜的MAPbBr3單晶為弱p型半導體,由n型和p型MAPbBr3單晶構成同質結,進而構建p?n同質結光電二極管和n?p?n同質結光電三極管。本發明的探測器制備過程簡單、器件性能良好,為雜化鈣鈦礦單晶材料在光電探測器中的應用開拓了新的前景。
聲明:
“基于甲胺鉛溴單晶的同質結光電二極管和三極管及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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