本發明公開一種層狀結構二硫化鉬/碳復合材料的制備方法及應用。所述復合材料是以有機胺插層的氧化鉬有機/無機雜化化合物為前驅體,將前驅體置于高溫區,將硫源置于低溫區,在惰性氣體保護下同時進行高溫硫化和碳化處理來制備得到的。該復合材料具有層狀結構,并且碳處于少層二硫化鉬的層板間,不僅可以充當電子傳輸通道,提高了電極材料的導電性,而且其擴大了層間距離,增加了Li+在層間的擴散能力。該復合電極材料表現出較高的比容量,良好的循環性能和倍率性能。本發明工藝簡單,原料成本低,易于實現工業規?;a。
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