權利要求
1.高性能硅氧負極材料,其特征在于,所述高性能硅氧負極材料包括:多孔陶瓷、氧化亞硅和摻雜元素; 其中,所述高性能硅氧負極材料使用化學氣相沉積法通過溫度控制沉積速率制備得到,以所述多孔陶瓷作為骨架,所述氧化亞硅和摻雜元素以原子級內嵌分布在所述多孔陶瓷的孔隙內; 所述多孔陶瓷的孔隙的孔徑在1nm-100nm之間; 所述高性能硅氧負極材料的孔隙率在0.5%-10%之間; 所述摻雜元素包括金屬摻雜元素和/或非金屬摻雜元素; 所述金屬摻雜元素包括: 一種或多種Al、Na、Li、Mg、Ca、Ti、Mn、Co、Ni、Cu、Zn、Zr、Mo、Ge、Sn任意一種摻雜元素的物質; 所述非金屬摻雜元素包括: 一種或多種B、N、P、S、C、As、Se任意一種摻雜元素的物質; 所述摻雜元素占所述氧化亞硅質量的百分比為0.1%-20%。2.根據權利要求1所述的高性能硅氧負極材料,其特征在于,所述氧化亞硅的質量占所述高性能硅氧負極材料總質量的百分比為50%-90%;所述多孔陶瓷占所述高性能硅氧負極材料總質量的百分比為10%-50%; 所述摻雜元素占所述氧化亞硅質量的百分比為0.5%-10%。 3.根據權利要求1所述的高性能硅氧負極材料,其特征在于,所述多孔陶瓷包括:多孔SiC、多孔氮化硅、多孔氮化鎵、多孔氮化鈦、多孔氮化硼中的一種或多種;所述多孔陶瓷的粒徑Dv50在20nm-100μm之間,孔隙率在30%-90%之間。 4.根據權利要求1所述的高性能硅氧負極材料,其特征在于,所述高性能硅氧負極材料還包括碳包覆層;所述碳包覆層的質量占所述高性能硅氧負極材料總質量的百分比為0-20%。 5.上述權利要求1-4任一所述的高性能硅氧負極材料的制備方法,其特征在于,所述制備方法為化學氣相沉積法,包括: 將硅粉、二氧化硅粉末和含摻雜元素的材料的混合材料置于真空高溫爐內,在減壓條件下,加熱升溫,至所述混合材料氣化后,得到第一混合氣體;或將硅粉和二氧化硅粉的混合粉末置于真空高溫爐內,在減壓條件下,加熱升溫,至所述混合粉末氣化后,通入所述含摻雜元素的材料的氣體,得到第二混合氣體; 將所述第一混合氣體或所述第二混合氣體沉積在所述多孔陶瓷的孔隙中,得到前驅體材料; 
聲明:
“高性能硅氧負極材料及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)