本發明涉及一種制造復合材料晶片的方法,具體地說是制造絕緣體上硅型的晶片的方法,所述方法包括以下步驟:提供初始施主襯底,在所述初始施主襯底上形成絕緣層,在所述初始施主襯底中形成預定分裂區,將所述初始施主襯底粘接到操作襯底上,以及在所述預定分裂區剝離所述施主襯底,由此將所述初始施主襯底的一層轉移到所述操作襯底上,以形成復合材料晶片。為了能夠更多次再使用施主襯底,本發明提出在低于950℃,具體地說是低于900℃,優選是在850℃或更低的溫度下執行熱處理步驟以形成絕緣層。本發明還涉及根據本發明方法制造的絕緣體上硅型的晶片。
聲明:
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