本發明屬于微電子技術領域,公開了一種具有光電二極管效應的雙鈣鈦礦薄膜器件及其制備方法和應用,該器件是在硅片上先旋涂LaNiO3或La0.7Sr0.3MnO3前驅體溶液,得到凝膠濕膜,預退火后重復旋涂、烘干、熱解和預退火過程,在750~800℃退火,在底電極上旋涂Bi2FeCrO6前驅體溶液,擦拭凝膠濕膜露出部分底電極,預退火后再重復旋涂、烘干、熱解和預退火過程,在750~800℃退火制備Bi2FeCrO6薄膜,在其正面鍍上頂電極制得;該薄膜器件結構為頂電級/Bi2FeCrO6薄膜/底電極/n?Si基片。該器件結構具有明顯的二極管效應,還具有響應靈敏,線性變化好,光電轉換效率高,抗干擾能力強,體積小,工作壽命長的優點。其制備工藝簡單,二極管效應良好穩定,在光強探測器領域有廣闊的應用前景。
聲明:
“具有光電二極管效應的雙鈣鈦礦薄膜器件及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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