本發明涉及一種制備三維互穿結構3D?SiC/Al復合材料的方法,包括3D?SiC預制件制備及后續無壓熔滲制備3D?SiC/Al復合材料過程。其中,3D?SiC預制件應用在后續的無壓熔滲3D?SiC/A復合材料時,根據所用的鋁合金成分可對其進行或不進行氧化預處理。本發明的復合材料中SiC含量在50~73vol%,復合材料的密度可達2.90~3.1g/cm2,熱導率達到232W/(m·℃),熱膨脹系數低至5.72×10?6/℃,抗彎強度可達330MPa,綜合性能滿足電子封裝材料必須具有的低膨脹系數、高熱導率和足夠的抗彎強度等技術性能要求。
聲明:
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