本發明公開了一種有機薄膜晶體管,包括Si基板,其特征在于:所述Si基板的背面設置柵電極,所述Si基板的正面設置有單層或者多層有機柵絕緣膜,所述有機柵絕緣膜的上端蒸鍍有漏電極和源電極,所述漏電極、源電極和有機柵絕緣膜的表面覆蓋有有機半導體膜。該晶體管引入了有機絕緣層,代替傳統的SiO2絕緣層,降低了工藝溫度,簡化了制作過程,可在常溫下制備,并且適合大面積器件的制作。
聲明:
“有機薄膜晶體管及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)