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半導體發光微顯示器件及其制造方法以及襯底剝離方法

1261   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-18 15:11:01
本發明公開半導體發光微顯示器件,其外延結構由N?GaN、有源層至P?GaN橫截面的寬度逐漸增大,透光導電層位于N?GaN表面上,連接電極位于P?GaN表面上,像素電極位于連接電極表面上,導電膠連接于透光導電層與像素電極之間。本發明還公開半導體發光微顯示器件制造方法。本發明還公開襯底剝離方法。外延結構由N?GaN、有源層至P?GaN橫截面的寬度逐漸增大,使得外延結構的N?GaN與襯底的接觸面積較小,減小激光剝離閾值,提升激光剝離良率。
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