本發明公開半導體發光微顯示器件,其外延結構由N?GaN、有源層至P?GaN橫截面的寬度逐漸增大,透光導電層位于N?GaN表面上,連接電極位于P?GaN表面上,像素電極位于連接電極表面上,導電膠連接于透光導電層與像素電極之間。本發明還公開半導體發光微顯示器件制造方法。本發明還公開襯底剝離方法。外延結構由N?GaN、有源層至P?GaN橫截面的寬度逐漸增大,使得外延結構的N?GaN與襯底的接觸面積較小,減小激光剝離閾值,提升激光剝離良率。
聲明:
“半導體發光微顯示器件及其制造方法以及襯底剝離方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)