本發明屬于鈣鈦礦LED器件發光技術領域,公開了一種雙界面修飾層鈣鈦礦納米晶發光器件及其制備方法,雙界面修飾層鈣鈦礦納米晶發光器件中陽極上依次旋涂空穴注入傳輸層、第一界面修飾層,空穴傳輸層、第二界面修飾層、發光層等;空穴傳輸層中嵌入的界面修飾層。本發明通過多方面整合界面修飾功能來提高器件效率,器件中的第一界面修飾層調控界面接觸能級,第二界面修飾層鈍化鈣鈦礦與空穴接觸面的缺陷:通過界面修飾使其接觸能級受到管理,實現載流子注入平衡的濃度梯度調控。鈣鈦礦材料作為新型離子型半導體,穩定性差,不平整的界面容易引起較多缺陷,改善空穴傳輸層與鈣鈦礦發光層界面接觸,降低器件中漏電流。
聲明:
“雙界面修飾層鈣鈦礦納米晶發光器件及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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