本實用新型提供了一種基于Ge2Se2Te5的憶阻器,從上往下依次包括上導電電極、中間功能層和下導電電極,中間功能層采用Ge2Se2Te5材料。本實用新型憶阻器能夠在循環的正負電壓下進行穩定快速的高低阻切換,可應用于未來高密度低功耗的非易失性存儲器;該器件制備工藝簡單,GST作為功能材料性能穩定、成本低,滿足大規模量產的需求。
聲明:
“基于Ge2Se2Te5的憶阻器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)