一種碘化亞銅晶體的生長方法,屬于光電子功能材料技術領域中的人工晶體和晶體生長領域,尤其是涉及一種作為超快閃爍晶體材料。該方法使用乙腈為生長溶劑,在高溫高于40攝氏度以上,利用惰性氣體保護,采用溶劑蒸發的方法生長晶體。生長設備簡單、工藝易控制。所生長出的晶體晶形完整、缺陷少、尺寸較大。生長的晶體在高能物理、核醫學成像等方面具有很重要的應用價值。
聲明:
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