本發明的提出了一種基于氧化鎵的三維日盲光電探測器,為高性能3D日盲光電探測器的制備和研究奠定基礎。本發明是按照下述步驟進行的:(1)清洗柔性襯底;(2)采用射頻磁控濺射技術在柔性襯底上室溫沉積a?Ga2O3薄膜;(3)在a?Ga2O3薄膜上利用熱蒸發技術在上面蒸發一層金屬薄膜;(4)采用光刻技術在有金屬薄膜的a?Ga2O3上制備電極,得到具有MSM結構的2D光電探測器陣列;(5)采用剪切折疊技術,把2D光電探測器陣列制備成3D光電探測器。本發明利用簡單的剪切和折疊技術制備3D日盲光電探測器。該制備方法工藝簡單、成本低廉,而且選用非晶Ga2O3作為日盲光響應層,有效改善了在彎折過程中,功能材料的斷裂和脫離現象。
聲明:
“基于氧化鎵的三維日盲光電探測器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)