一種基于氮化鎂薄膜的光電探測器件及其制備方法,屬于半導體光電探測器領域。首先采用磁控濺射或蒸鍍技術在襯底上生長一層過渡金屬電極,并利用濕法或干法刻蝕技術制備出叉指電極結構,然后采用反應射頻磁控濺射方法在制備好叉指電極結構的襯底上生長Mg3N2薄膜,最后在Mg3N2薄膜上原位濺射生長一層BN或AlN薄膜作為Mg3N2保護層,從而得到基于Mg3N2薄膜的光電探測器件。本發明拓展了Mg3N2在光電功能材料與器件領域中的應用。BN或AlN薄膜不僅有效抑制了Mg3N2薄膜的水解,提高了Mg3N2薄膜的穩定性,而且在紅外、可見光和大部分紫外波段都是透明的,是Mg3N2光電器件理想的光學窗口。
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