本發明提供了一種通孔陽極氧化鋁膜的制備方法。其特征在于制備的通孔陽極氧化鋁膜具有圓孔的六方形晶胞組成的多孔結構,孔徑范圍為50~200nm,孔道垂直于膜表面,孔徑分布均勻。其制備方法為將鋁片基底進行預處理、電化學拋光后,將鋁基底和聚酯片以及聚酯框熱壓成“三合一”結構,使其在氧化過程中,只有一面進行電化學氧化。這種制備方法大大簡化了實驗裝置,簡單易行。本膜可以用作超濾和微濾的分離膜以及制備功能材料、納米材料的模板。
聲明:
“通孔陽極氧化鋁的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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