一種磁性納米線陣列薄膜及其制備方法,屬于電子功能材料技術領域。包括MgAl2O4單晶基片、Pb(Zr0.52Ti0.48)O3基體和NiFe2O4納米線;NiFe2O4納米線均勻分布在Pb(Zr0.52Ti0.48)O3基體中,形成沉積于MgAl2O4單晶基片(001)取向表面的磁性納米線陣列薄膜。該薄膜采用PZT-NFO靶材和(001)取向MgAl2O4單晶基片,采用90度離軸磁控濺射工藝制得,具有鐵磁共振線寬小、鐵磁共振頻率高、晶格失配小,可自組裝外延生長的特點,是一種用于微波非互易性器件的重要材料。其制備方法容易實現,參數控制方便,操作簡單,成本低。
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