一種基于復合硅半球/石墨烯寬帶太赫茲超材料吸收器,屬于超材料及電磁功能材料技術領域。該太赫茲超材料吸收器,包括金屬反射層、介質層、石墨烯層和硅半球層。所述金屬反射層為一層連續的金屬薄膜,其厚度大于工作太赫茲波的趨膚深度;介質層位于金屬反射層和石墨烯層之間,為聚二甲基硅氧烷(PDMS)薄膜;未圖案化的石墨烯層之上負載著硅半球層,由復合的半橢球和半圓球周期性排列而成,且每個周期包含旋轉對稱的四個半橢球和中心的一個半圓球結構。本發明通過合理設計硅半球的幾何尺寸以及石墨烯外加電壓值,可以實現對垂直入射到超材料表面的電磁波完全吸收的特性。本發明結構簡單、無需多層疊加結構,且具有寬頻帶高吸收的特性。
聲明:
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我是此專利(論文)的發明人(作者)