本發明涉及一種新型白光LED器件的制備方法,包括以下步驟:制備AlN晶體材料;對AlN晶體材料進行切割、打磨和拋光,制成表面平整的AlN薄片;對制成的AlN薄片進行清洗,清洗后對其進行烘烤以除去表面的水氣與溶劑殘留物;在AlN薄片上圖形化電極并蒸鍍金屬電極;最后再進行氮氣氛下的退火處理,制成新型白光LED器件。本發明直接采用氣相傳輸法制備的AlN晶體材料作為功能材料,在晶體上制備電極后直接通電發光。該方法實現單一材料的白光輸出,無需熒光粉的二次轉換,因此器件結構更加簡單緊湊,單晶狀態的AlN功能層也能承載更大的功率密度。由于利用寬禁帶半導體AlN材料禁帶內的缺陷發光,使器件的發射光譜十分豐富,可覆蓋整個可見光區域,且光色品質出色。
聲明:
“新型白光LED器件的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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