In、Nb共摻雜的ZnO基透明導電薄膜及其制備方法,該方法屬于功能材料領域。靶材是由高純In2O3、Nb2O5和ZnO粉末混合固相燒結的陶瓷靶。將In、Nb共摻雜ZnO的陶瓷靶和清洗過的襯底放入脈沖激光沉積裝置的生長室中,通過調節沉積工藝參數,利用脈沖激光沉積法在不同襯底上,制備出光電性能優良的In、Nb共摻雜的ZnO基透明導電薄膜。本發明簡化了鍍膜工藝,電子濃度可以可以通過調節靶材中的In、Nb含量控制;實現了多元金屬陽離子在同一靶材上的同時摻雜;制備的In、Nb共摻雜的ZnO基透明導電薄膜具有優良的光電性能,電阻率為10-3-10-4Ω·cm,可見光平均透射率超過了87%。該方法所制備的透明導電薄膜在太陽能電池和新型光電器件領域具有廣泛的應用前景。
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