本發明涉及功能材料技術領域,具體涉及一種外延生長碳化硅?石墨烯薄膜的制備方法。外延生長碳化硅?石墨烯薄膜的制備方法,包括如下步驟:(1)碳化硅?石墨烯制備;(2)碳化硅?石墨烯薄膜外延生長。本發明實現碳化硅?石墨烯的連續生長,從而省去了目前常用在碳化硅上生長石墨烯所需的氫氣刻蝕及重新制造富硅集的步驟,減少氫氣刻蝕帶來的晶格缺陷和表面硅富集嚴重削減現象。并且石墨烯具有較少的缺陷,層數在4層左右且均勻分布,具有較好的晶體質量。
聲明:
“外延生長碳化硅-石墨烯薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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