本發明公開了一種氧化鎘鎂合金透明導電薄膜,該薄膜采用磁控濺射技術,設計合理的濺射參數制備而成。磁控濺射的靶材為氧化鎘和氧化鎂,薄膜中鎂的原子數百分比組分含量值x為:0≤x<0.5;薄膜厚度為:170—290nm。本發明研究認為,增大薄膜中鎂的含量,可實現薄膜在短波范圍的截止波長繼續向短波方向的拓展,從而拓寬其光學帶隙,有效提高短波范圍的光透過性能,使其在太陽輻射波長375—1800nm之間,光譜透過率達到75%以上,而鎂組分含量與靶材濺射功率、靶材和基片之間的距離、及與薄膜沉積時間長短相關。本發明以磁控濺射方法調節薄膜中Mg的含量,操作簡便,只要控制好設計參數,便能工業化規范生產,使之在太陽能電池、光電探測等光電功能材料和器件領域中獲得良好的應用前景。
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