權利要求
1.半導體封裝器件，其特征在于，包括： 基板，所述基板一側上設置有結構槽，所述基板上設置有兩個通孔； 發光器件，包括器件本體和設置在器件本體上的兩個電極，兩個所述電極與兩個所述通孔一一配合，且所述器件本體通過所述電極設置于所述基板上； 封裝層，所述封裝層設置在所述基板具有所述結構槽的一側，且所述封裝層覆蓋于所述發光器件和結構槽，所述封裝層的材質為氟樹脂材料或旋涂玻璃材料； 高反射層，所述高反射層設置在所述基板設置有所述結構槽的一側，所述高反射層設置有兩個開口，其中一個所述開口與所述結構槽相匹配，另一個所述開口與兩個所述電極相匹配，所述封裝層經由所述開口與所述基板相連接，且部分所述封裝層位于所述結構槽內。2.如權利要求1所述的半導體封裝器件，其特征在于，所述結構槽包括沿所述器件本體的周向設置的第一凹槽，所述第一凹槽向背離所述封裝層的方向凹陷。 3.如權利要求2所述的半導體封裝器件，其特征在于，所述第一凹槽包括貫通所述基板表面的第一區域和第二區域，所述第二區域與所述第一區域連通，所述第二區域用于防止所述封裝層從所述第一區域脫出。 4.如權利要求3所述的半導體封裝器件，其特征在于，所述第一區域與所述第二區域在所述基板的厚度方向的縱截面上組成倒T型、土字型、箭頭型或倒F型。 5.如權利要求4所述的半導體封裝器件，其特征在于，所述第一區域與所述基板表面成夾角設置，所述夾角的范圍為大于30°且小于60°。 6.如權利要求2所述的半導體封裝器件，其特征在于，所述第一凹槽的數量為單個或多個，所述第一凹槽的數量為多個時，多個所述第一凹槽沿發光器件的周向布設；所述第一凹槽的數量為單個時，單個所述第一凹槽沿發光器件的周向開設。 7.如權利要求2所述的半導體封裝器件，其特征在于，所述基板上設置有粗糙結構，所述粗糙結構位于第一凹槽內部，所述粗糙結構包括多個槽體，多個所述槽體用于增加所述封裝層與所述第一凹槽的接觸面積。 8.如權利要求2所述的半導體封裝器件，其特征在于，所述結構槽還包括第二凹槽，且所述第二凹槽位于兩個所述通孔之間，所述第二凹槽用所述封裝層填充。 9.如權利要求1所述的半導體封裝器件，其特征在于，所述高反射層上設置空置區，所述空置區為圓環型設置，所述空置區
聲明：
“半導體封裝器件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
1937
編輯：中冶有色網
來源：廣東中科半導體微納制造技術研究院 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
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2025年07月09日 ~ 11日 
