本發明屬于電磁功能材料技術領域,具體提供一種基于硅納米針的太赫茲波寬帶吸收材料,用以克服現有太赫茲波吸收器件吸收帶寬窄、制作工藝復雜、器件穩定性差、制備成本高昂的缺陷;本發明太赫茲波寬帶吸收材料包括硅納米針陣列和硅襯底兩部分,所述硅納米針陣列由均勻分布于硅襯底上的若干個硅納米針構成,硅納米針垂直設置于硅襯底表面;所述硅納米針陣列和硅襯底為同一材料,均采用n型或p型重摻雜半導體硅、其電阻率≤0.1Ω·cm。通過該硅納米針陣列結構制作的太赫茲波吸收材料,結構簡單,在0.2THz~1.2THz范圍內,對太赫茲波的吸收率高達90%;采用簡易金屬輔助的化學刻蝕方法制備,制備工藝簡單,成本低廉。
聲明:
“基于硅納米針的太赫茲波寬帶吸收材料” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)