本發明涉及一種硫化鎳納米帶的制備方法,屬于納米材料制備技術領域。本發明采用靜電紡絲技術與硫化技術相結合,制備了NiS納米帶。本發明包括三個步驟:(1)配制紡絲液。將Ni(NO3)2·6H2O和PVP,加入到DMF溶劑中,形成紡絲液;(2)制備NiO納米帶。采用靜電紡絲技術制備PVP/Ni(NO3)2復合納米帶,再進行熱處理得到NiO納米帶;(3)制備NiS納米帶。采用CS2對NiO納米帶進行硫化處理,得到結構新穎純相的NiS納米帶,具有良好的結晶性,屬于六方晶系,空間群為P63/mmc。NiS納米帶的寬度為0.8~2.4μm,厚度83.2nm,長度大于100μm。NiS納米帶是一種重要的功能材料,將在光催化、紅外探測、太陽能存儲、光敏材料等領域得到應用。本發明的制備方法簡單易行,可以批量生產,具有廣闊的應用前景。
聲明:
“硫化鎳納米帶的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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