本發明涉及一種激光技術制備二氧化錫半導體薄膜及其微結構缺陷湮滅的實驗工藝,屬于半導體薄膜制備工藝技術領域。二氧化錫是近年來引起廣泛關注的一種n-型半導體功能材料,在微電子工業、光電子器件以及太陽能電池等領域具有廣泛的應用前景。利用脈沖激光沉積方法,控制一定工藝參數,在室溫下,將薄膜沉積在玻璃襯底上,制備出了二氧化錫半導體薄膜;該薄膜存在著若干微結構缺陷,使其應用受到限制,然而,采用在高分辨電子顯微鏡,將上述具有微結構缺陷的薄膜進行300℃原位退火2小時,簡單地成功實施了二氧化錫半導體薄膜的微結構缺陷的湮滅技術,實現了薄膜微結構無缺陷的工藝,本方法在薄膜制備領域具有潛在的應用價值。
聲明:
“二氧化錫半導體薄膜的制備方法及其缺陷湮滅方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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