本發明公開了一種測量半導體納米結構光電性能的設備和方法,該設備包括:掃描探針顯微鏡、脈沖激光器、透鏡和光電信號耦合測量部件。該方法是:利用掃描探針顯微系統精確的空間定位和控制能力,使用導電針尖作為納米電極,并采用背面入射的方法將脈沖激光引入樣品待測區域,在對樣品實施結構掃描的同時獲得特定納米區域的光激發電學特性。本發明的優點是:利用掃描探針顯微鏡的導電針尖作為高精度、高穩定性的移動納米電極,可以對樣品表面的微觀區域進行光電響應的二維成像,像點間的信息具有很高的可比性,有助于對半導體光電功能材料的均勻性實施高分辨率的檢測。
聲明:
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