一種納米晶鈦酸鍶鋇薄膜的制備方法,屬于功能材料技術領域,涉及納米晶BST薄膜的制備方法。本發明對常規溶膠-凝膠方法制備BST薄膜過程的“冷卻”和“晶化”步驟之間添加“預晶化”處理步驟。本發明可在大氣環境下類外延生長納米晶BST薄膜,所得薄膜光滑致密、無裂紋、無縮孔。本發明可大幅度提高納米晶BST薄膜的綜合介電調諧性能,所得納米晶BST薄膜電容58~1840pF、介電調諧率大于20.0%、介電損耗小于3.0%、K因子大于15.0、介電強度高,頻率特性和溫度特性穩定。采用本發明所制備的納米晶BST薄膜可以替代鐵氧體和半導體用于制備微波調諧器件(如移相器),從而顯著降低微波調諧器件的制造成本;另外,本發明所制備的納米晶BST薄膜還可用于磁記錄、熱釋電焦平面陣列等。
聲明:
“納米晶BST薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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