一種二元交替摻雜BST薄膜的制備方法,屬于功能材料技術領域,涉及納米晶BST薄膜的制備方法。本發明采用Mn、Y二元摻雜,即對即對奇數層薄膜進行Mn或Y摻雜,對偶數層薄膜進行Y或Mn摻雜;同時在“冷卻”和“晶化”步驟之間增加“預晶化”處理步驟。本發明所制備的薄膜光滑致密、無裂紋、無縮孔,可大幅度提高納米晶BST薄膜的綜合介電調諧性能,所得納米晶BST薄膜介電調諧率大于30.0%、介電損耗小于2.0%、K因子大于15.0、介電強度高,頻率特性和溫度特性穩定。采用本發明所制備的納米晶BST薄膜可以替代鐵氧體和半導體用于制備微波調諧器件(如移相器),從而顯著降低微波調諧器件的制造成本;另外,本發明所制備的納米晶BST薄膜還可用于磁記錄、熱釋電焦平面陣列等。
聲明:
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我是此專利(論文)的發明人(作者)