一種鎵摻雜的氧化物透明導電薄膜材料的制備 方法,屬于光電子信息功能材料技術領域。在ZnO薄膜中進行 鎵摻雜,用偏壓射頻磁控濺射技術在真空條件下,在有機聚合 物薄膜襯底上室溫制備出具有多晶結構的ZnO∶Ga透明導電 膜,濺射用陶瓷靶組分為氧化鋅和三氧化二鎵,工藝條件為: 氬氣分壓0.5-5Pa,濺射功率50-200W,濺射偏壓0~-100V。 制得薄膜的載流子濃度為1.2× 1021cm- 3,遷移率為 13.5cm2V- 1S-1,電阻率為 4.6×10-4Ωcm,方塊電阻6.2 Ω/□,可見光范圍的透過率超過83%??鄢袡C材料襯底的 影響,在可見光范圍內薄膜的平均透過率可以達到90%,性能 優于ZnO∶Al薄膜,因此在有機平板顯示和有機光電子器件等 領域可以替代現有的透明導電膜材料。
聲明:
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