本發明公開了一種利用高溫超高壓制備片狀二硒化鉑的方法,屬于功能材料制備技術領域。本發明直接以單質鉑和硒粉為原料,無需任何反應助劑,在高溫高壓下合成;本發明可通過控制合成溫度和壓力來調整產品的純度,并制備出純相、結晶性能良好、大晶粒尺寸的塊體狀二硒化鉑(PtSe2);本發明主要包括樣品處理、樣品組裝、高溫高壓反應和退火去硒這四個步驟,制備方法簡單、制備同期短,制得的二硒化鉑(PtSe2)結晶性好、晶粒大,適合工業化大規模生產;本發明發展了新型的二維半導體制備方法,為二硒化鉑等過渡金屬硫族化合物的可控制備,以及相關二維材料在光電子器件和催化劑方面的潛在應用提供了可靠的制備手段,具有廣闊的應用前景。
聲明:
“利用高溫超高壓制備片狀二硒化鉑的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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