本發明涉及一種MEMS器件及其制備方法、電子裝置。所述方法包括步驟S1:提供基底,在所述基底上形成有尺寸小于所述基底的功能材料層,以形成臺階形結構,在所述基底上和所述功能材料層的側壁上形成有頂角變圓的緩沖層;步驟S2:在所述緩沖層和所述功能材料層上形成覆蓋層,以覆蓋所述功能材料層;步驟S3:在所述覆蓋層上交替地形成第一金屬層和第二金屬層,以形成至少包含4層的金屬疊層結構。本發明所述方法具有如下的優點:1)通過添加氧化物OX獲得圓化頂角(corner?rounding)效果的同時減小上層金屬膜的應力,解決了縫隙孔洞(seam?void)的問題;2)由于對應力有所改變,也降低了后續可能造成的分層問題;3)對于后續制程沒有帶來其他的副作用。
聲明:
“MEMS器件及其制備方法、電子裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)