本發明屬于集成光學領域,具體涉及一種基于高遷移率TCO薄膜的低損耗光波導移相器。該器件基于光波導平臺制備,從下至上依次為基底、脊型硅波導、二氧化鉿層、電光功能材料層和二氧化鉿包層以及設置于電光功能材料層表面和硅表面的電極。電光功能材料層為遷移率大于200cm2V?1s?1的TCO薄膜。本發明的器件基于光波導平臺,將用于光開關調制器遷移率大于200cm2V?1s?1的TCO薄膜作為電光功能材料層,實現了電光移相的硅波導移相器與硅制備工藝兼容,調制速率可達100GHz以上,插入損耗3dB以下。
聲明:
“基于高遷移率TCO薄膜的低損耗光波導移相器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)