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釹鐵硼晶界的處理工藝

1250   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-18 15:02:21
本發明涉及一種釹鐵硼晶界的處理工藝,其特征是:配制多元合金相R(M)x,將富相合金熔煉均勻,將其加入到主相合金中制作釹鐵硼磁體。所述的配制多元合金相R(M)x,其R為Dy或Tb,M為Cu+Al+Ga,x為1或2,其結構均為面心立方結構化合物;其相變溫度為808℃~970℃的獨特化合物。本發明在不影響生產效率下,可顯著提高釹鐵硼性能,并且是一般工藝中達到了晶界擴散工藝的效果,但生產效率(kg/h)較晶界擴散提高近20倍,且產品厚度方向不再受擴散的限制。本發明的優點是:(1)富相合金獨特,(2)可制備高剩磁、高矯頑力磁體,(3)生產效率高。
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