本發明涉及一種高熱導率無壓燒結碳化硅陶瓷材料及其制備方法,它由以下質量百分比的原料組成:碳化硅75~95wt.%,石墨烯0.5~10wt.%,表面活性劑1~3wt.%,分散劑0.5~2.5wt.%,粘結劑2~10wt.%,碳化硼0.5~3.5wt.%,本發明通過碳化硅、石墨烯、碳化硼之間的特定配比,壓制成坯體,真空條件下無壓燒結,制得SiC陶瓷材料,石墨烯均勻分布于SiC基體材料中,并與SiC形成緊密結合,避免了材料內部氣孔對聲子散射導致的熱導率降低抵消并超過引入石墨烯對熱導率提高的作用,既保證了陶瓷材料的致密化,同時又達到較高的熱導率,保證了材料均勻一致。
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