本發明公開了一種基于激光干涉技術輔助電化學技術制備納米柵極的方法,應用于太陽能電池、微/納米光電子器件等領域。本發明包括如下步驟:a)在形成的p-n結襯底片表面或半導體襯底片表面旋涂光刻膠并烘干;b)然后經過雙光束激光干涉技術曝光;c)經選擇性溶液除去曝光的光刻膠,并經電化學技術沉積金屬柵極;d)最后經選擇性溶液移除未曝光的光刻膠,并進行熱處理,獲得亞微米/納米金屬柵極。本發明實現的亞微米/納米柵極,具有大面積、高效、廉價、簡便、可在大氣環境下進行和可控性等優點,便于推廣和商業化。
聲明:
“激光干涉技術輔助電化學技術制備納米柵極的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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