本發明公開了屬于陶瓷靶材技術領域的一種高純超高溫陶瓷靶材的制備方法,具體 為高純硼化鋯/硼化鉿粉體及其陶瓷靶材的制備方法。該方法是以高純Zr粉,Hf粉以及 高純B粉為原料,采用自蔓延法分別制備高純ZrB2和HfB2粉體,再采用高溫高壓的熱 壓成型工藝制備高純致密的硼化鋯/硼化鉿超高溫陶瓷靶材,靶材相對密度達到95~99%。 相對于現有技術,本方法混料時金屬粉稍過量,彌補了自蔓延反應過程中金屬的損失, 進一步保證了產物組分的單一性。相對于無壓燒結,本方法所需要的燒結溫度大大降低, 并且本熱壓工藝采用兩段式溫度,均勻了坯料的溫度場,為后期熱壓過程中得到密度均 勻的靶材,提供了保證。
聲明:
“高純硼化鋯/硼化鉿粉體及其超高溫陶瓷靶材的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)