本發明涉及一種采用燒結工藝制造高壓大功率晶閘管的方法,包括以下步驟:工藝環境準備、超聲波清洗、硅片漂洗、清洗石英架、石英砣、硅片鋁擴散、硅片硼擴散、氧化、一次光刻、磷擴散、割圓、燒結、蒸發、合金、二次光刻、噴砂磨角、旋轉腐蝕涂膠保護、測試封裝。與現有技術相比,本發明的有益效果是:芯片制造采用硼、鋁兩次擴散,保證PN結前沿平緩;新型燒結技術保證燒結變形小,粘接牢固,保證擴散參數穩定不變;采用超凈工藝環境,精細清洗方法,優質清洗試劑保證長的少子壽命;采用電腦控制擴散,機械磨角、噴角,保證產品參數一致性,使用可靠;制造成本低,成品率高,各項技術性能達到進口同類產品水平。
聲明:
“采用燒結工藝制造高壓大功率晶閘管的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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