本發明公開了一種基于自激勵單電子自旋電磁晶體管及制作工藝,所述晶體管包括襯底,襯底上設置有納米碳化硅薄膜結構、源極、漏極、柵極,納米碳化硅薄膜結構由層狀納米碳化硅單晶體薄膜互嵌構成,納米碳化硅薄膜結構的兩端分別與源極和漏極接觸,形成源漏極有源區,納米碳化硅薄膜結構的上部依次設置有絕緣層、接觸金屬層,柵極從接觸金屬層引出。本發明通過設置由層狀納米碳化硅單晶體薄膜互嵌構成的納米碳化硅薄膜結構形成的納米線或帶,作為晶體管有源區,源漏極用Pd作為接觸金屬,形成肖特基勢壘,其中出現隧穿。在室溫下,本發明基于自激勵單電子自旋電磁晶體管的源漏電壓與漏電流的關系呈現干涉現象。
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