本發明屬于磁性材料技術領域,具體涉及一種提高釹鐵硼晶界擴散深度的方法,包括如下步驟:預處理;均勻涂層;熱處理工藝;本發明特點在于通過先低溫保溫,讓滲材進入富釹相中,再通過逐步提高擴散溫度,保證在滲材較少量的進入主相的前提下,盡可能的讓滲材擴散至磁體的中心部位,最后通過提高擴散溫度,讓富釹相中的滲材進入釹鐵硼主相晶粒的外延層,從而提高釹鐵硼主相晶粒的形核場,即提高產品矯頑力。
聲明:
“提高釹鐵硼晶界擴散深度的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)