合肥金星智控科技股份有限公司
宣傳

位置:中冶有色 >

有色技術頻道 >

> 真空冶金技術

> 芯片交替布置無鍵合雙面散熱碳化硅MOSFET模塊及制作方法

芯片交替布置無鍵合雙面散熱碳化硅MOSFET模塊及制作方法

1111   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-18 15:00:02
本發明涉及一種芯片交替布置無鍵合雙面散熱碳化硅MOSFET模塊,模塊由上、下碳化硅MOSFET芯片,上、下DBC基板,導電墊塊,納米銀焊膏,高溫焊料,功率端子,信號端子,硅凝膠和環氧樹脂組成。本發明通過納米銀焊膏將碳化硅MOSFET芯片分別焊接在上下DBC基板的覆銅層,同時對芯片表面電極做了鍍金處理,通過導電墊塊實現芯片表面電極與外部的電氣連接,利用高溫焊料將功率端子和信號端子從DBC基板的覆銅層引出。本發明用墊塊完全取代了模塊中的鍵合線,減小了寄生電感,提高了模塊的可靠性。同時通過將芯片分別焊接在上、下DBC基板,實現雙面散熱的同時減小了芯片之間的熱耦合效應,降低了模塊的整體熱阻。
登錄解鎖全文
聲明:
“芯片交替布置無鍵合雙面散熱碳化硅MOSFET模塊及制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
分享 0
         
舉報 0
收藏 0
反對 0
點贊 0
標簽:
真空冶金
全國熱門有色金屬技術推薦
展開更多 +

 

中冶有色技術平臺

最新更新技術

報名參會
更多+

報告下載

赤泥綜合利用研究報告2025
推廣

熱門技術
更多+

衡水宏運壓濾機有限公司
宣傳
環磨科技控股(集團)有限公司
宣傳

發布

在線客服

公眾號

電話

頂部
咨詢電話:
010-88793500-807
專利人/作者信息登記
在线精品视频播放|无码 有码 国产18p|宅男精品一区在线观看|伊人色综合久久天天人手人婷|亚洲熟肥妇女BBXX