一種電子束蒸發技術制備碳化硼薄膜的方法,將碳化硼膜料放到電子束蒸發設備的坩堝中,將清洗、干燥后的基片放到電子束蒸發設備的加熱電爐上,使基片位于坩堝正上方20cm~30cm處;在真空條件進行鍍膜,鍍膜真空度不小于6.0×10-3Pa,基片溫度控制在室溫~450℃,調節電子束使其聚焦到膜料上的斑點最小,控制束流值在100mA~180mA,沉積時間為5min~120min。此種方法既可制備非晶態碳化硼薄膜,又可制備多晶結構的碳化硼薄膜,還可制備各種不同B、C成分配比的碳化硼薄膜,而且所制備的碳化硼薄膜表面光滑、薄膜致密、均勻性良好。
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